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J-GLOBAL ID：200903004544012526
ZnO系基板及びZnO系基板の処理方法
Inventor：
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,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (4)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
, 伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008021503
Publication number (International publication number)：2009179534
Application date： Jan. 31, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Summary：
【課題】結晶成長に適した品質の良い表面を有するZnO系基板及びZnO系基板の処理方法を提供する。【解決手段】 ZnO系基板の結晶成長側の主面表面のカルボキシル基又は炭酸基の存在を略0にするように構成している。また、カルボキシル基又は炭酸基の存在を略0にするために、結晶成長開始前にZnO系基板表面を酸素ラジカル、酸素プラズマ、オゾンのいずれかに接触させるようにしている。したがって、ZnO系基板表面の清浄化を高め、基板上に品質の良いZnO系薄膜を作製することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
結晶成長を行う側の主面表面におけるカルボキシル基又は炭酸基の存在が略0となっていることを特徴とするZnO系基板。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B29/22 Z
, H01L21/302 102
4G077AA03
, 4G077BB07
, 4G077BC60
, 4G077DB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE03
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TA12
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4K030BA47
, 4K030DA03
, 5F004AA14
, 5F004DA26
, 5F004DA27
, 5F004DB13
Cited by examiner (2)
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ZnO系半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-160273
Applicant：ローム株式会社, 国立大学法人東北大学
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薄膜トランジスタの製法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-255734
Applicant：カシオ計算機株式会社
Article cited by the Patent：
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