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J-GLOBAL ID：200903004570743768

半田ボール

Inventor：
佐藤 光司

About 佐藤 光司


Applicant, Patent owner：
日立金属株式会社

About 日立金属株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000070534
Publication number (International publication number)：2001267730
Application date： Mar. 14, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、半導体装置などにおけるマイクロソルダリングに用いられる半田ボールを真球度が高く、かつ損傷、変形なく提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、るつぼ内の溶湯に圧力と振動を付与して前記るつぼの底部に設けたオリフィスから溶湯を押出し、前記オリフィスから滴下した溶湯をガス雰囲気中で冷却凝固させた直径1.2mm以下、直径分布のバラツキが3%以内、真球度0.95以上の半田ボールであって、表面の炭素濃化層の厚さが1nm以下であり且つ酸素濃化層の厚さが5nm以下である半田ボールである。
Claim (excerpt)：
るつぼ内の溶湯に圧力と振動を付与して前記るつぼの底部に設けたオリフィスから溶湯を押出し、前記オリフィスから滴下した溶湯をガス雰囲気中で冷却凝固させた直径1.2mm以下、直径分布のバラツキが3%以内、真球度0.95以上の半田ボールであって、表面の炭素濃化層の厚さが1nm以下であり且つ酸素濃化層の厚さが5nm以下である半田ボール。
IPC (3)：
H05K 3/34 505 ,  B23K 35/40 340 ,  H01L 21/60
FI (4)：
H05K 3/34 505 A ,  B23K 35/40 340 F ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 H
F-Term (2)：
5E319BB01 ,  5E319BB04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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