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J-GLOBAL ID:200903004650399367
機能デバイスの製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008000378
Publication number (International publication number):2009160686
Application date: Jan. 07, 2008
Publication date: Jul. 23, 2009
Summary:
【課題】工程時間の短縮により製造効率を向上し、空間部のコンパクト化を図るとともに、機能構造体や空間部の形状のばらつきを低減してデバイス特性の安定化を図る。【解決手段】本発明の機能デバイスの製造方法は、基板11上において犠牲層14Aを介して機能構造体15Aを形成する機能構造形成工程と、犠牲層14Aを除去して機能構造体15Aを解放する第1リリース工程と、機能構造体15Aを犠牲層14Aとは異なる材料よりなる保護材16で包摂して固定し、かつ、保護材16を周囲より上方へ突出させて設ける保護材形成工程と、保護材16の周囲に保護材16とは異なる材料よりなる周囲構造Pを形成して保護材16を包囲する周囲構造形成工程と、保護材16を除去して空間部を形成する第2リリース工程とを具備する。【選択図】図8
Claim (excerpt):
基板と、該基板上に配置された機能構造体と、該機能構造体を収容する空間部とを具備する機能デバイスの製造方法であって、
前記基板上において犠牲層を介して前記機能構造体を形成する機能構造形成工程と、
前記犠牲層を除去して前記機能構造体を解放する第1リリース工程と、
前記機能構造体を前記犠牲層とは異なる材料よりなる保護材で包摂して固定し、かつ、該保護材を周囲より上方へ突出させて設ける保護材形成工程と、
前記保護材の周囲に前記保護材とは異なる材料よりなる周囲構造を形成して前記保護材を包囲する周囲構造形成工程と、
前記保護材を除去して前記空間部を形成する第2リリース工程と、
を具備することを特徴とする機能デバイスの製造方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (11):
3C081AA20
, 3C081BA30
, 3C081CA03
, 3C081CA14
, 3C081CA15
, 3C081DA02
, 3C081DA22
, 3C081DA45
, 3C081EA02
, 3C081EA22
, 3C081EA41
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
特表平3-502268号公報
-
半導体力学量センサ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-003716
Applicant:日本電装株式会社
-
半導体センサの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-246497
Applicant:日本電装株式会社
-
薄膜構造体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-161746
Applicant:株式会社ニコン
-
薄膜構造体の製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-069947
Applicant:株式会社ニコン
-
微小装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-097590
Applicant:日産自動車株式会社
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