半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998047459
Publication number (International publication number)：1999251294
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】高集積度半導体装置における、薄膜化された金属シリサイド層に臨む接続孔開口工程後の、レジストアッシングにともなう金属シリサイド層の酸化を防止する。これにより、低抵抗コンタクトの形成を可能にする。【解決手段】レジストマスク10の除去工程に、窒素系活性種を用いる。【効果】レジストは、窒素系活性種によりCHあるいはCN等の反応生成物となり除去される。一方金属シリサイド層8は窒素系活性種により酸化層が形成されることがない。したがって、レジストアッシング後のソフトエッチングが不要、あるいは極く軽度ですみ、薄膜化された金属シリサイド層8の損傷が防止される。

Claim (excerpt)：

表面に金属シリサイド層が形成された半導体基板上に、層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜上に、レジストマスクを形成する工程、前記レジストマスクをエッチングマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングし、前記金属シリサイド層に臨む接続孔を開口する工程、前記レジストマスクを除去する工程、前記接続孔内に導電材料層を埋め込む工程以上の工程を具備する半導体装置の製造方法であって、前記レジストマスクを除去する工程は、窒素系活性種によるドライエッチング工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/302 H , H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-157177 Applicant：ソニー株式会社
特開平1-206624
酸化防止方法およびドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-042136 Applicant：ソニー株式会社

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