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J-GLOBAL ID：200903029928397800

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
長山 哲治

About 長山 哲治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996157177
Publication number (International publication number)：1998012723
Application date： Jun. 18, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：
【要約】【課題】 セルフアラインコンタクトホール開口時における、レジストマスクのアライメントずれにともなうLOCOSの突き抜けを防止する。【解決手段】 LOCOS7のバーズビーク上に、エッチングストッパ層12を選択的に形成しておく。このエッチングストッパ層12の材料は、酸化シリコンとの選択比が得られる窒化シリコン、多結晶シリコンあるいは遷移金属等が選ばれる。サリサイドプロセスと併用してもよい。【効果】 セルフアラインコンタクトホール10開口用のレジスト露光時のアライメントがLOCOS7側にずれても、LOCOSあるいはそのバーズビークのエッチングが有効に防止される。したがって、接合リーク電流の増大を防止した、信頼性の高い高集積度半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
Claim (excerpt)：
少なくともLOCOSにより端縁を区画された不純物拡散領域上の層間絶縁膜に、前記不純物拡散領域に臨んで自己整合的に形成されたコンタクトホールを有する半導体装置において、前記LOCOSのバーズビーク上に選択的に残置形成されたエッチングストッパ層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78
FI (5)：
H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/78 301 X
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開平4-072729
  • 特開平4-072729
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-203411   Applicant：三洋電機株式会社
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