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J-GLOBAL ID：200903004752129925

露光マスクおよびそれを用いた半導体装置の作製方法

Inventor：
大沼 英人

About 大沼 英人

, 
永井 雅晴

About 永井 雅晴


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006216585
Publication number (International publication number)：2007072452
Application date： Aug. 09, 2006
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：
【課題】半透過部のフォトレジスト層の膜厚を均一に形成できる露光マスクを提供し、それを用いてTFT基板を製造するために必要なフォトリソグラフィ工程の回数(マスク枚数)を削減した半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】透過部と、遮光部と、ラインおよびスペースが繰り返し形成された光強度低減機能を有する半透過部とを備えた露光マスクにおいて、半透過部における遮光材料のライン幅Lと遮光材料間のスペース幅Sとの和は、露光装置の解像度をn、投影倍率を1/m(m≧1)とすると、n、mとの関係が、(2n/3)×m ≦ L+S ≦ (6n/5)×m の条件式を満たす露光マスクを用いる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
透過部と、遮光部と、半透過部とを備えた露光マスクにおいて、 前記半透過部における遮光材料のライン幅Lと遮光材料間のスペース幅Sとの和は、露光装置の解像度をn、投影倍率を1/m(m≧1)とすると、n、mとの関係が、 (n/3)×m ≦ L+S ≦ (3n/2)×m の条件式を満たすことを特徴とする露光マスク。
IPC (4)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/027
FI (5)：
G03F1/08 D ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 616A ,  H01L21/30 514C
F-Term (81)：
2H095BB02 ,  2H095BC09 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046CB17 ,  5F046DA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-244237   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
Cited by examiner (6)
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