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J-GLOBAL ID：200903004754529750

半導体装置、半導体ウエハ、半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法

Inventor： 荻野 雅彦 ,  上野 巧 ,  江口 州志 ,  永井 晃 ,  佐藤 俊也 ,  石井 利昭 ,  小角 博義 ,  瀬川 正則 ,  露野 円丈 ,  西村 朝雄 ,  安生 一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998307554
Publication number (International publication number)：2000133683
Application date： Oct. 28, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の反りが少なく、しかも、落下時のチップ端部の欠けや割れが発生しにくいまた、実装信頼性及び量産性に優れた半導体装置、半導体ウエハ、及び半導体モジュールを提供する。【解決手段】半導体チップ64と、該半導体チップの回路及び電極が形成された側の面上に設けられた多孔質の応力緩和層3と、該応力緩和層の上に設けられ前記電極に接続された配線層2と、該配線層上に設けられた外部電極10とを有する半導体装置17において、前記半導体チップの前記応力緩和層3とは反対側の面上に保護膜7を有し、前記応力緩和層3、前記半導体チップ6及び前記保護膜7の各側面が同一面上で外部に露出している半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体チップと、該半導体チップの回路及び電極が形成された側の面上に設けられた応力緩和層と、該応力緩和層の上に設けられ前記電極に接続された配線層と、該配線層上に設けられた外部電極とを有する半導体装置において、前記半導体チップの前記応力緩和層とは反対側の面上に保護膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (2)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L

F-Term (4)：

5F044KK02 ,  5F044KK07 ,  5F044KK16 ,  5F044LL09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体チップの接点変換構造と該接点変換構造を有する半導体チップの製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-106335   Applicant：山一電機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-153368   Applicant：ソニー株式会社