Pat

J-GLOBAL ID：200903004757147930

半導体結晶膜の成長方法

Inventor： 纐纈 明伯 ,  河口 紀仁 ,  正木 みゆき
Applicant, Patent owner： 石川島播磨重工業株式会社 ,  纐纈 明伯
Agent (1)： 堀田 実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001225534
Publication number (International publication number)：2003037288
Application date： Jul. 26, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 従来と同様のpn接合型のLEDにおいて、その結晶構造を改善し、成長速度を高め、格子欠陥を低減してその品質を高めることができる半導体結晶膜の成長方法を提供する。【解決手段】 サファイヤ基板上にバッファ層を介してGaN層を成長させ、次いで、その上にInGaN層又はInN層を成長させる半導体結晶膜の成長方法において、GaN層の成長を約820°C以下,約500°C以上で行い、InGaN層又はInN層の成長を約800°C以下で行う。

Claim (excerpt)：

サファイヤ基板上にバッファ層を介してGaN層を成長させ、次いで、その上にInGaN層又はInN層を成長させる半導体結晶膜の成長方法において、GaN層の成長を約820°C以下,約500°C以上で行い、InGaN層又はInN層の成長を約800°C以下で行う、ことを特徴とする半導体結晶膜の成長方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

F-Term (36)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  4G077SC02 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-341880   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-135288   Applicant：松下電器産業株式会社