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J-GLOBAL ID：200903004768174939

書き込み禁止が選択可能な磁気メモリ及びその書き込み方法

Inventor：
ノジェル,ジーン-ピエール

About ノジェル,ジーン-ピエール

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ラノ,ローレン

About ラノ,ローレン

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コンルークス,ヤン

About コンルークス,ヤン


Applicant, Patent owner：
セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク

About セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク


Agent (2)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003529477
Publication number (International publication number)：2005503670
Application date： Sep. 19, 2002
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：
【課題】本発明は、書き込み禁止が選択可能な磁気メモリ及びその書き込み方法に関する。【解決手段】本発明の各メモリ素子は、固定磁化を有する固定層として知られている磁性層71、磁化を反転させることが可能な自由層として知られている磁性層73、及び自由層73と固定層71との間に配置されていて両層と接触している絶縁層72で構成される磁気トンネル接合70を備える。自由層73は希土類及び遷移金属を主体とする非晶質又はナノ結晶の合金からなり、この合金の磁気の配列はフェリ磁性型である。本発明のメモリの動作温度は、前記の合金の補償温度に近くなるように選択される。
Claim (excerpt)：
磁気トンネル接合(70)でそれぞれが形成されたメモリポイントを有し、 - 固定磁化を有するいわゆる固定磁性層(71)と、 - 磁化を反転させることが可能ないわゆる自由磁性層(73)と、 - 前記自由層(73)と前記固定層(71)との間に挟まれており、これらの2層それぞれと接触している絶縁層(72)と を備えた磁気メモリにおいて、 前記自由層(73)は希土類及び遷移金属を主体とする非晶質又はナノ結晶の合金からなり、該合金の磁気の配列がフェリ磁性型であり、前記合金の補償温度に近くなるように動作温度が選択されていることを特徴とする磁気メモリ。
IPC (6)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10
FI (8)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  G11C11/15 140 ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10
F-Term (5)：
5E049AA04 ,  5E049AC01 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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