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J-GLOBAL ID:200903004827877647

硝化グラニュールの形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002070011
Publication number (International publication number):2003266095
Application date: Mar. 14, 2002
Publication date: Sep. 24, 2003
Summary:
【要約】【課題】 自己固定化法により、強度、沈降性およびNH4+-N除去速度に優れた硝化グラニュールを形成することを目的とする。【解決手段】 硝化細菌を含む汚泥と、無機性アンモニア含有水溶液とを、上向流好気性条件下、反応槽内にて連続的に接触させることを特徴とする硝化グラニュールの形成方法により課題を解決した。
Claim (excerpt):
硝化細菌を含む汚泥と、無機性アンモニア含有水溶液とを、上向流好気性条件下、反応槽内にて連続的に接触させることを特徴とする硝化グラニュールの形成方法。
F-Term (3):
4D040BB07 ,  4D040BB42 ,  4D040BB91
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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