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J-GLOBAL ID：200903004832210855

磁気ランダム・アクセス・メモリにおけるメモリ・セル構造およびその製造方法

Inventor： ユージン・チェン ,  シェイド・エヌ・テーラニ ,  ハーバート・ゴロンキン
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997191829
Publication number (International publication number)：1998116489
Application date： Jul. 01, 1997
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ワード電流の低減を図ったメモリ・セル構造、およびかかるメモリ・セル構造の製造方法を提供する。【解決手段】 単一または多数のワード・ライン(12)が巻回された巨大磁気抵抗(GMR)物質部分(11)を有する、磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)セル構造を提供する。ワード電流(13,14)によって発生する磁場がGMR物質部分(11)において重なり合うことにより、全体としての磁場強度が比例的に高くなる。同一ワード電流を、多数回、GMR物質部分(11)に通過させることにより、従来のMRAMセルにおける大きなワード電流の何倍ものワード磁場と等価なワード磁場を生成する。

Claim (excerpt)：

磁気ランダム・アクセス・メモリ(10)におけるメモリ・セル構造であって:磁性体部分(11);および前記部分の一方側の上に第1脚部(12a)、前記部分の他方側の上に第2脚部(12b)、および前記部分に磁場を印加する接続バイト(12c)を有する導体(12);から成ることを特徴とするメモリ・セル構造(10)。

IPC (2)：

G11C 11/14 ,  H01L 43/08

FI (2)：

G11C 11/14 Z ,  H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 集積回路磁気メモリ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-224082   Applicant：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
• 磁性薄膜メモリおよびその記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-234539   Applicant：三菱電機株式会社