Pat

J-GLOBAL ID：200903004858352470

エレクトロルミネッセンス素子の微細パターン化方法及びそれより得られた素子

Inventor： 下 紳郎 ,  東海林 弘
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (1)： 大谷 保
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995046589
Publication number (International publication number)：1996222371
Application date： Feb. 13, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 透明電極に損傷を与えることなく、金属系電極に加工エッジ周辺部への熱的損傷の少ないシャープな微細加工を効率よく施し、エレクトロルミネッセンス素子(EL素子)を微細パターン化する方法を提供すること。【構成】 レーザーアブレーション加工法により、EL素子を微細パターン化する方法、特に金属系電極/有機化合物層/透明電極/基板の構成からなる有機EL素子に対し、金属系電極側からレーザーフルエンスが10〜220mJ/cm2 になるようにレーザービームの照射を行い、この際生じるレーザーアブレーション現象により、金属系電極に微細加工を施し、有機EL素子を微細パターン化する方法である。

Claim (excerpt)：

エレクトロルミネッセンス素子を微細パターン化するに当たり、レーザーアブレーション加工法を用いることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の微細パターン化方法。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/12

FI (3)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 B ,  H05B 33/12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 透明電極薄膜のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-104034   Applicant：株式会社小松製作所
• 特開平1-130494
  
• 光加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316043   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-182389
  

Cited by examiner (6)

• 透明電極薄膜のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-104034   Applicant：株式会社小松製作所
• 特開平1-130494
  
• 光加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316043   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-182389
  
• 特開平1-130494
  
• 特開平2-182389