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J-GLOBAL ID：200903004870732873
強誘電性薄膜の性能を最適化するための多層方式
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998205468
Publication number (International publication number)：1999126877
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： May. 11, 1999
Summary：
【要約】【課題】 電気的性能を高めるために最適化された組成プロフィールを強誘電性薄膜に得ることを提供する。【解決手段】 多層強誘電性薄膜は、核形成層14、バルク層16および任意のキャップ層18を含んでいる。特定の組成の薄い核形成層14は、強誘電性結晶方位を最適化するために下部電極12上に実現されて、必要とされる組成とは強誘電性薄膜の大半において著しく異なる。バルク膜16は、その結晶成長のための基板として確立された核形成層を利用する。複数ステップの堆積プロセスは、所望の組成プロフィールを得るように実施される。この方法は、薄膜の上部表面の近くのオプションの第3の組成の調節物を、上部電極界面との適合性を確実にするために、また引き続く処理から生じる相互作用を補償するために、考慮している。
Claim (excerpt)：
改良された強誘電性薄膜において、第1の百分比(percentage)の過剰な鉛を含む第1のPZT層を備え、第2の百分比の過剰な鉛を含む第2のPZT層を備え、該第1の百分比は該第2の百分比よりも大きい、強誘電性薄膜。
IPC (4)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/31
H01L 27/10 451
, H01L 21/31 D
, H01L 27/10 651
Cited by examiner (5)
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