半導体装置の製法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994022802
Publication number (International publication number)：1995235673
Application date： Feb. 21, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 p及びnチャネルMOSトランジスタ(Tr.)を有する半導体装置を、ゲート電極が同一導電型の低比抵抗半導体層によって形成し、しかも短チャネル効果を効果的に改善する。【構成】第1,第2のTr.形成部2a,2bの表面に表面保護膜を被着する工程と、第2のTr.形成部2bをフォトレジストによって覆って、第1のTr.形成部に表面保護膜を通じて高エネルギーのイオン注入を行う第1のイオン注入工程と、第2のTr.形成部に同様の方法でイオン注入を行う第2のイオン注入工程と、第1,第2のイオン注入工程終了後に第2のTr.形成部上の表面保護膜を除去して第2のTr.形成部表面の不純物濃度調整を行う低エネルギーイオン注入の第3のイオン注入工程と、第1,第2のTr.形成部のチャネル形成部上にそれぞれゲート絶縁膜を介して共通の第1導電型の不純物がドープされた多結晶Siによる半導体層によるゲート電極4a,4bを形成する工程とをとる。

Claim (excerpt)：

共通の基板に、第1導電型チャネルの絶縁ゲート型電界効果トランジスタと第2導電型チャネルの絶縁ゲート型電界効果トランジスタとが形成される半導体装置の製法において、最終的に上記第1導電型および第2導電型チャネルの絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する第1および第2のトランジスタ形成部の表面に表面保護膜を被着する工程と、上記第2のトランジスタ形成部をフォトレジストによって覆って、第1のトランジスタ形成部に上記表面保護膜を通じてイオン注入を行う第1のイオン注入工程と、該第1のイオン注入工程前または後に上記第1のトランジスタ形成部をフォトレジストによって覆って、第2のトランジスタ形成部に上記表面保護膜を通じてイオン注入を行う第2のイオン注入工程と、上記第1および第2のイオン注入工程をともに終了して後に上記第2のトランジスタ形成部上の上記表面保護膜を除去して該第2のトランジスタ形成部表面の不純物濃度を調整する第3のイオン注入工程と、上記第1および第2のトランジスタ形成部のチャネル形成部上に、それぞれゲート絶縁膜を介して共通の第1導電型の不純物がドープされた半導体層によるゲートを成する工程とを少くともとって目的とする第1導電型および第2導電型チャネルの絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の製法。

FI (2)：

H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-310285 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-215791 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-264464

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