Pat
J-GLOBAL ID:200903004934331584
磁気抵抗効果素子、およびその製造方法
Inventor:
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (4):
須山 佐一
, 川原 行雄
, 山下 聡
, 須山 英明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007094474
Publication number (International publication number):2008252008
Application date: Mar. 30, 2007
Publication date: Oct. 16, 2008
Summary:
【課題】CCP-CPP素子のMR変化率を向上させる。【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と具える磁気抵抗効果素子において、前記磁化固着層及び前記磁化自由層の少なくとも一方の層中又は層表面に、Si、Mg、B、Alを含む機能層を設ける。【選択図】図1
Claim (excerpt):
磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、
前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、
前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と、
前記磁化自由層に対して前記スペーサ層が形成された側とは反対側に配置される薄膜層とを有し、
前記磁化固着層、または前記磁化自由層、または前記薄膜層の少なくとも一層の層中又は層表面に形成された、Si、Mg、B、Alを含む機能層と、
を具えることを特徴とする、磁気抵抗効果素子。
IPC (8):
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 43/10
, H01L 43/12
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, G01R 33/09
FI (7):
H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
, H01L43/10
, H01L43/12
, G11B5/39
, H01F10/32
, G01R33/06 R
F-Term (61):
2G017AD55
, 2G017AD56
, 2G017AD63
, 4M119AA17
, 4M119BB01
, 4M119BB03
, 4M119DD04
, 4M119DD05
, 4M119DD06
, 4M119DD07
, 4M119DD08
, 4M119DD09
, 4M119DD33
, 4M119DD42
, 4M119DD45
, 4M119EE03
, 4M119EE22
, 4M119EE29
, 4M119FF05
, 4M119FF06
, 4M119FF15
, 4M119FF17
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA06
, 5D034CA06
, 5E049BA25
, 5F092AA02
, 5F092AB02
, 5F092AB07
, 5F092AB08
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092BB04
, 5F092BB09
, 5F092BB10
, 5F092BB15
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB51
, 5F092BB53
, 5F092BB55
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC12
, 5F092BC13
, 5F092BC14
, 5F092BC18
, 5F092BC22
, 5F092BE06
, 5F092BE13
, 5F092BE21
, 5F092BE25
Patent cited by the Patent:
Return to Previous Page