磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002025994
Publication number (International publication number)：2003133614
Application date： Feb. 01, 2002
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】垂直通電磁気抵抗効果素子において、スピン依存伝導に関与する部分の抵抗値を上げ、ひいては抵抗変化量を大きくする。【解決手段】磁化固着層と、磁化自由層と、磁化固着層と磁化自由層との間に形成された非磁性中間層と、これらの膜面に対して略垂直にセンス電流を通電する電極とを有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固着層および磁化自由層のうち少なくとも1層が実質的にT1<SB>a</SB>T2<SB>b</SB>またはFe<SB>c</SB>Co<SB>d</SB>Ni<SB>e</SB>(T1およびT2は、Fe、CoおよびNiからなる群より選択される元素であり、25at%≦a≦75at%、25at%≦b≦75at%、a+b=100、0<c≦75at%、0<d≦75at%、0<e≦63at%、c+d+e=100)で表される2元合金または3元合金、または結晶構造が体心立方晶である合金から形成されている。

Claim (excerpt)：

磁化の方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化の方向が外部磁場に応じて変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に形成された非磁性中間層と、前記磁化固着層、非磁性中間層および磁化自由層の膜面に対して略垂直にセンス電流を通電するための電極とを具備し、前記磁化固着層および前記磁化自由層のうち少なくとも1層が実質的に一般式(1)または(2)T1<SB>a</SB>T2<SB>b</SB> (1)Fe<SB>c</SB>Co<SB>d</SB>Ni<SB>e</SB> (2)(ここで、T1およびT2は、Fe、CoおよびNiからなる群より選択される互いに異なる元素であり、25at%≦a≦75at%、25at%≦b≦75at%、a+b=100、0<c≦75at%、0<d≦75at%、0<e≦63at%、c+d+e=100)で表される2元合金または3元合金から形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/10

FI (6)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/10 , G01R 33/06 R

F-Term (15)：

2G017AA10 , 2G017AD55 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA08 , 5D034CA04 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-137621 Applicant：日本電気株式会社
スピンバルブ型薄膜素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-286893 Applicant：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-200881 Applicant：ソニー株式会社

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