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J-GLOBAL ID：200903004937117311

電界効果トランジスタ

Inventor： 大野 玲
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004217738
Publication number (International publication number)：2006041127
Application date： Jul. 26, 2004
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：

【課題】 電界効果トランジスタのキャリアの移動度を向上させる。【解決手段】 半導体部と絶縁部を備える電界効果トランジスタであって、絶縁部が強誘電性及び強磁性をともに有する物質と非磁性物質を含有することを特徴とする電界効果トランジスタ。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

少なくとも半導体部と、 絶縁部を備える電界効果トランジスタであって、 絶縁部が、強誘電性及び強磁性をともに有する物質及び非磁性物質を含有することを特 徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/80 ,  H01L 51/05

FI (5)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B

F-Term (48)：

5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL01 ,  5F102GR09 ,  5F102GR12 ,  5F102GS07 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF06 ,  5F110FF07 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110NN01 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ、スイッチング素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-109005   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Reduced Leakage Current and Ferroelectric Properties in Nd and Mn Codoped BiFeO3 Thin Films