有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ、スイッチング素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002109005
Publication number (International publication number)：2003301116
Application date： Apr. 11, 2002
Publication date： Oct. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】特殊な配向技術を要せず、簡単な方法でキャリア移動度が高い有機電荷輸送性材料薄膜を得ることにあり、該有機電荷輸送性材料薄膜を用いて、フラットパネルディスプレイ等に適用可能な、製造の容易な電界効果トランジスタ又はスイッチング素子を提供することにある。【解決手段】共役高分子と有機金属錯体の混合物であることを特徴とする有機半導体材料及び該有機半導体材料を含んでなる電界効果トランジスタ、該電界効果トランジスタを用いたことを特徴とするスイッチング素子。

Claim (excerpt)：

共役高分子と有機金属錯体の混合物であることを特徴とする有機半導体材料。

IPC (4)：

C08L101/00 , C08K 5/56 , H01L 29/786 , H01L 51/00

FI (4)：

C08L101/00 , C08K 5/56 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28

F-Term (51)：

4J002BM001 , 4J002CE001 , 4J002CP011 , 4J002EZ006 , 4J002GQ02 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE41 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF21 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK10 , 5F110HK31 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-209931
ポリシラン組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-216575 Applicant：信越化学工業株式会社
特表平5-505838

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