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J-GLOBAL ID：200903004963721421

受光素子

Inventor： 西村 晋
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994262696
Publication number (International publication number)：1996125213
Application date： Oct. 26, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 雑音を拾いにくい、かつコンデンサー容量の少ない、かつ製造し易い受光素子を提供するものである。【構成】 半導体基板と、半導体基板の略中央の表面内部に設けられ第1導電型の不純物を含む拡散層と、拡散層の周辺に位置し半導体基板の表面内部に設けられ第2導電型の不純物を含む高濃度層と、拡散層上と高濃度層上に各々位置する第1および第2透孔を有し半導体基板上に設けられた絶縁層と、第1および第2透孔を通じて拡散層と高濃度層に各々接触しかつ絶縁層上に互いに離れて設けられた第1および第2電極とを備え、第1電極を絶縁層上に略全体的に設け、第1電極を接続手段により半導体基板と電気的に接続するものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、その半導体基板の略中央の表面内部に設けられ第1導電型の不純物を含む拡散層と、その拡散層の周辺に位置し前記半導体基板の表面内部に設けられ第2導電型の不純物を含む高濃度層と、前記拡散層上と前記高濃度層上に各々位置する第1および第2透孔を有し前記半導体基板上に設けられた絶縁層と、前記第1および第2透孔を通じて前記拡散層と前記高濃度層に各々接触しかつ前記絶縁層上に互いに離れて設けられた第1および第2電極とを備え、前記第1電極は前記絶縁層上に略全体的に設けられ、前記第1電極は接続手段により前記半導体基板と電気的に接続された事を特徴とする受光素子。

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-117430   Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-194398   Applicant：シヤープ株式会社