ガスセンサ及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003066108
Publication number (International publication number)：2004271482
Application date： Mar. 12, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】新しい検出原理に基づく高い選択性を実現するガスセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】下記工程を含むことを特徴とするガスセンサ及びその製造方法であって、センサ素子として、層状構造を持つ無機化合物の層間に有機化合物を挿入した有機無機ハイブリッド材料を用いてなるガスセンサであって、抵抗値の変化によりガスを検知する作用を有することを特徴とする、VOCガスに対して、高い選択性を有するガスセンサ、及びその製造方法。【効果】従来の酸化物半導体センサの検出原理に依らない、新しい検出原理に基づくVOC対策用センサを提供するものとして有用である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

センサ素子として、層状構造を持つ無機化合物の層間に有機化合物を挿入した有機無機ハイブリッド材料を用いてなるガスセンサであって、抵抗値の変化によりガスを検知する作用を有することを特徴とするガスセンサ。

IPC (1)：

G01N27/12

FI (3)：

G01N27/12 B , G01N27/12 A , G01N27/12 C

F-Term (24)：

2G046AA08 , 2G046AA16 , 2G046AA18 , 2G046AA24 , 2G046AA25 , 2G046BA01 , 2G046BA09 , 2G046BC05 , 2G046DC14 , 2G046EA02 , 2G046EA04 , 2G046EA09 , 2G046FA01 , 2G046FB02 , 2G046FC01 , 2G046FC06 , 2G046FE02 , 2G046FE12 , 2G046FE22 , 2G046FE23 , 2G046FE24 , 2G046FE35 , 2G046FE45 , 2G046FE46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭62-110143
常温に近い温度で製造され及び動作する、化学的検出材料としての半導体材料の用途
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-547926 Applicant：ソニーインターナショナル(ヨーロッパ)ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング, マックス-プランク-ゲゼルシャフトツゥア-フェデルゥンデルヴィッセンシャフテンエーフォー
ガスセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-249918 Applicant：株式会社島津製作所

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