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J-GLOBAL ID：200903005094413874

キャパシタおよび高容量キャパシタの製造方法

Inventor： セシュ ビー.デス ,  ジェー シー ,  チン-チャン ペン
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996013362
Publication number (International publication number)：1997027602
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 疲労劣化の少ないキャパシタおよび高容量キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 頂部および底部(Ba1-xSrx)RuO3電極により挟持された強誘電体薄膜ペロブスカイト(Ba1-xSrx)TiO3層を有するキャパシタが提供される。このキャパシタは、半導体基板を設ける工程と、基板を加熱する工程と、基板を少なくともRu(C5H5)2を含んでいる前駆体に曝す工程と、引き続き、基板を少なくともTiO(OC2H5)4を含んでいる前駆体に曝す工程と、引き続き、基板を少なくともRu(C5H5)2を含んでいる前駆体に曝す工程と、を包含しているMOCVDプロセスにより製造される。

Claim (excerpt)：

(Ba1-xSrx)RuO3からなる頂部電極および底部電極と、該頂部電極および該底部電極の間に形成された(Ba1-xSrx)TiO3からなる強誘電体層と、を備えているキャパシタ。

IPC (8)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C30B 29/22 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/316

FI (6)：

H01L 27/10 651 ,  C30B 29/22 Z ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 21/316 X ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-032072   Applicant：三菱電機株式会社
• 強誘電性素子のための多層電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-086509   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜キャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-227381   Applicant：日本電気株式会社