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J-GLOBAL ID：200903005100044045

軟X線を利用した高精密パターンの形成方法、及びこれを利用したナノ素子の製造方法

Inventor： パーク,ジョーン ウォン ,  ラ,ヤン-ヒェ ,  ムーン,ジョーン ホ ,  キム,ボンソオ ,  カン,タイ-ヘエ ,  キム,キ-ジェオン
Applicant, Patent owner： ポステック ファンデーション
Agent (5)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003527514
Publication number (International publication number)：2005502916
Application date： Sep. 12, 2002
Publication date： Jan. 27, 2005
Summary：

軟X線を用いた自己組織化単分子層のナノスケール高解像度パターニング方法を提供する。前記方法は、基板上に末端環に置換基を有する芳香族イミン分子層を形成する段階と、前記芳香族イミン分子層の前記置換基への結合を選択的に切断する段階と、前記芳香族イミン分子層を加水分解する段階とを含む。

Claim (excerpt)：

(a)置換された末端環を有する芳香族イミン単分子層を基板上に形成する段階と、 (b)前記芳香族イミン単分子層から置換基を選択的に除去する段階と、 (c)前記芳香族イミン単分子層を加水分解する段階と、 を含む、高解像度パターニング方法。

IPC (2)：

G03F7/075 ,  H01L21/027

FI (2)：

G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R

F-Term (8)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB20 ,  2H025AC05 ,  2H025AD03 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 低エネルギー電子ビームを利用した高解像度パターニング方法、前記方法を用いたナノ素子の調製方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-527515   Applicant：ポステックファンデーション
• 無電解金属化方法と組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-131742   Applicant：シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド
• 表面をパターンに従って化学的に変性する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-222440   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ