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J-GLOBAL ID：200903093963248320

低エネルギー電子ビームを利用した高解像度パターニング方法、前記方法を用いたナノ素子の調製方法

Inventor： パーク,ジョーン ウォン ,  ラ,ヤン-ヒェ ,  キム,ボンソオ ,  カン,タイ-ヘエ ,  キム,キ-ジェオン
Applicant, Patent owner： ポステック ファンデーション
Agent (5)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003527515
Publication number (International publication number)：2005502917
Application date： Sep. 12, 2002
Publication date： Jan. 27, 2005
Summary：

低エネルギー電子ビームを用いた高解像度パターニング方法および前記高解像度パターンを用いたナノ素子の製造方法を提供する。前記方法は、基板上に置換または非置換の末端環を有する芳香族イミン分子層を形成する段階と、前記芳香族イミン分子層中のイミン結合を選択的に構造変化させる段階と、前記芳香族イミン分子層を加水分解する段階とを含む。

Claim (excerpt)：

(a)基板上に、置換または非置換の末端環を有する芳香族イミン単分子層を形成する段階と; (b)前記芳香族イミン分子層中のイミン結合を選択的に構造変化させる段階と; (c)前記芳香族イミン分子層を加水分解する段階と; を含む、高解像度パターニング方法。

IPC (2)：

G03F7/038 ,  H01L21/027

FI (2)：

G03F7/038 505 ,  H01L21/30 502R

F-Term (5)：

2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 軟X線を利用した高精密パターンの形成方法、及びこれを利用したナノ素子の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-527514   Applicant：ポステックファンデーション
• 無電解金属化方法と組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-131742   Applicant：シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド
• 表面をパターンに従って化学的に変性する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-222440   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ