高密度プラズマ化学蒸着装置および方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998504108
Publication number (International publication number)：2000514136
Application date： Jun. 02, 1997
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】化学蒸着装置のような処理に用いるプラズマ処理システムであって、プラズマ処理チャンバ(140)と、前記処理チャンバ内で基板(120)を支持する基板支持体(130)と、前記基板支持体に対向する内側表面を有し、前記処理チャンバ壁を形成する誘電体(155)と、処理ガスを前記チャンバに前記基板に向けて供給しするガス供給部と、前記誘電体を通じてチャンバ内にRFエネルギーを誘導結合させ、前記処理ガスをプラズマ状態に励起する、平面コイル(150)のようなRFエネルギー源を有する。前記ガス供給部は、数種類のガスあるいは混合ガスをチャンバ内に供給する第一ガスリング(170)と第二ガスリング(160)を含んでもよい。前記ガス供給部は更に、前記第一ガスリングに連結した注入器(180)を含み、前記注入器はガスをチャンバ内に基板に向けて注入する。前記プラズマ処理システムは、処理中に第一ガスリングを冷却する冷却機構を含んでもよい。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理システムであって、プラズマ処理チャンバと、前記処理チャンバ内で基板を支持する基板支持体と、前記基板支持体に対向する内側表面を有する、前記処理チャンバ壁を形成する誘電体と、処理ガスを前記チャンバに供給するための穴を有し、前記穴の少なくとも何個かが前記基板の露出表面に対し急角度で交差するガス注入軸に沿って前記処理ガスを注入するように設けられたガス供給手段と、前記基板を処理するために、前記誘電体を通じチャンバ内にRFエネルギーを誘導結合させ、前記処理ガスをプラズマ状態に励起するRFエネルギー源とを有することを特徴とする。

IPC (3)：

C23C 16/50 , H01J 37/32 , H01L 21/205

FI (3)：

C23C 16/50 B , H01J 37/32 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プラズマCVD装置と該装置を用いたCVD処理方法及び該装置内の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-060681 Applicant：株式会社神戸製鋼所
高密度プラズマCVD及びエッチングリアクタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203633 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開平2-111693

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