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J-GLOBAL ID:200903005326941287

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 隆彌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998032493
Publication number (International publication number):1999233292
Application date: Feb. 16, 1998
Publication date: Aug. 27, 1999
Summary:
【要約】【課題】 局所放電を抑え、且つ、膜厚、又は、エッチング分布特性の優れたプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 真空排気経路5の断面形状を概略三角形形状にし、下部電極3と真空排気経路5の距離を広くすると共に、鋭角な角部を無くすことにより下部電極3に低周波を含む高周波を印加しても局所放電を起こさなようにし、又、逆ハ形状断面を持つ排気邪魔板4を挿入することにより容易に上記排気経路を形成する。
Claim (excerpt):
真空状態維持可能な真空チャンバ内に、プラズマを発生させるための平行平板型の高周波電極、プロセスガス吹き出し口、及び、真空排気設備に繋がるガス排気口を有するプラズマ処理装置において、前記排気口に繋がる真空チャンバ内に設けられた排気経路の断面形状が概略三角形形状であることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6):
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (6):
H05H 1/46 M ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 C
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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