成膜方法及び成膜装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 伊藤仁恭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007262596
Publication number (International publication number)：2009091613
Application date： Oct. 05, 2007
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：

【課題】成膜速度を損なうことなく、平滑性に優れた薄膜を形成する成膜方法及び成膜装置を提供する。【解決手段】固体物質を有するターゲット2に、第1のレーザ光源4からレーザ光6を照射して、ターゲット2の固体物質を飛散させる工程と、飛散された固体物質に第2のレーザ光源5からレーザ光7を照射する工程とを有し、飛散された飛散物質を基板3に付着させて成膜する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

固体物質を有するターゲットに、第1のレーザ光源からレーザ光を照射して、前記ターゲットの固体物質を飛散させる工程と、前記飛散された飛散物質に第2のレーザ光源からレーザ光を照射する工程とを有し、前記飛散された飛散物質を基板に付着させて成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (1)：

C23C 14/28

FI (1)：

C23C14/28

F-Term (7)：

4K029AA02 , 4K029AA24 , 4K029BA53 , 4K029BC06 , 4K029CA01 , 4K029DB20 , 4K029EA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

パルスレーザー蒸着法を用いた複合系材料薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-176433 Applicant：日本電気株式会社
レーザーアブレーション成膜装置および成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-387341 Applicant：科学技術振興事業団
炭素系物質の薄膜製造装置及びその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-060295 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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Cited by examiner (3)

炭素系物質の薄膜製造装置及びその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-060295 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
レーザアブレーションによる薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-077616 Applicant：富士通株式会社
レーザーアブレーション装置と薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-140656 Applicant：松下電器産業株式会社

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