ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の液相エピタキシャル装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057272
Publication number (International publication number)：1996253394
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】液相エピタキシャル法によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成において、基板を割ることなくエピタキシャル成長炉から引き上げるための装置を提供する。【構成】エピタキシシャル成長炉上部に徐冷炉を設置する。【効果】基板の割れが防止され、歩留まりの向上が図られた。

Claim (excerpt)：

液相エピタキシャル法によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の縦型管状炉の上蓋の上に着脱自在に徐冷炉を設けてなることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の液相エピタキシャル装置。

IPC (3)：

C30B 29/28 , C30B 19/06 , G02F 1/09 501

FI (3)：

C30B 29/28 , C30B 19/06 Z , G02F 1/09 501

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

液相エピタキシャル成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-231339 Applicant：株式会社村田製作所
特開平2-296787
酸化物単結晶膜の製造方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-118093 Applicant：日本碍子株式会社

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