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J-GLOBAL ID：200903005472156036

有機半導体パターン及び有機半導体層のパターニング方法、有機半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置

Inventor：
平井 暢一

About 平井 暢一


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004221258
Publication number (International publication number)：2006041317
Application date： Jul. 29, 2004
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：
【課題】 パリレンなどの特殊な保護材料を用いず、一般的な有機半導体層やフォトレジストに適用でき、パターニングによる有機半導体層の性能低下を抑制できる、有機半導体層のパターニング方法及び有機半導体装置の製造方法を提供し、更にこの方法に基づいて作製された有機半導体パターン及び有機半導体装置、並びに表示装置を提供すること。【解決手段】 基板1の上に有機半導体層2を蒸着や塗布によって形成する。その上に、窒化ケイ素などの絶縁性無機化合物又はポリビニルアルコールなどの親水性有機高分子化合物からなる保護層3を、CVD法や水溶液の塗布によって形成する。その上にフォトレジスト層4を塗布によって形成し、これをパターニングしてマスク層5を形成する。マスク層5をマスクとして、保護層3と有機半導体層2をパターニングして、有機半導体パターン7を得る。パターニング終了後もマスク層5は保護層として残す。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層をマスク層から保護する保護層を前記有機半導体層に積層して形成する工程と、所定のパターンを有する前記マスク層を前記保護層に積層して形成する工程と、前記マスク層をマスクとするエッチングによって前記保護層、更には前記有機半導体層を同一形状にパターニングする工程とを有する、有機半導体層のパターニング方法において、 前記マスク層とは材質が異なり、かつ、親水性を有する有機高分子化合物又は絶縁性 無機化合物によって前記保護層を形成する ことを特徴とする、有機半導体層のパターニング方法。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 619A
F-Term (37)：
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HM04 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 米国特許 第6500604号明細書(第3-5欄、図1)
  • 液晶表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-230447   Applicant：株式会社日立製作所
Cited by examiner (4)
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