電子配列の製作方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006506646
Publication number (International publication number)：2006520101
Application date： Feb. 26, 2004
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：

本発明の装置は、有機半導体材料の薄膜トランジスタを有する。この半導体材料は、第1の保護層、およびその後のフォトレジストの設置によって、パターン化される。本発明のトランジスタ(A)は、従来技術のトランジスタ(B、C)に比べて、極めてリーク電流が小さく、閾値電圧の低いことが結果として示されている。

Claim (excerpt)：

有機半導体材料を有する活性層を備える薄膜トランジスタを有する電子配列を製作する方法であって、当該方法は、前記有機半導体材料または該有機半導体材料の前駆体材料を有する前記活性層を、基板上に設置するステップと、前記保護層を前記活性層上に設置するステップと、フォトレジストを設置し、露光し、定着させるステップと、前記保護層および前記活性層を、前記フォトレジストのパターンと合致するようにパターン化するステップと、を有する方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 51/30

FI (5)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/28 100A , H01L29/28 310K , H01L29/28 280

F-Term (16)：

5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110EE02 , 5F110FF01 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110QQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

ボトムゲート形薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-190765 Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-215748 Applicant：旭化成工業株式会社
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-045573 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社

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