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J-GLOBAL ID：200903014153096879

誘電体層の反応性形成および有機半導体デバイスにおける有機層の保護

Inventor：
ダーザイク, ポール

About ダーザイク, ポール

, 
ワン, ジィアンナ

About ワン, ジィアンナ


Applicant, Patent owner：
イー-インク コーポレイション

About イー-インク コーポレイション


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001512653
Publication number (International publication number)：2003525521
Application date： Jul. 21, 2000
Publication date： Aug. 26, 2003
Summary：
【要約】1つの実施形態において、半導体デバイスを作製する方法は、以下の工程を包含する:a)有機半導体層を提供する工程;b)反応性種をこの有機半導体層の一部に堆積させる工程;c)この反応性種をこの有機層の一部と反応させ、誘電層を形成する工程。別の実施形態においては、半導体デバイスを作製する方法は、以下の工程を包含する:a)有機半導体層を提供する工程;b)この有機半導体層の表面を放射線に露光し、誘電層を形成する工程。別の実施形態において、トランジスタを作製する方法は、以下の工程を包含する:a)ゲート電極に隣接して有機半導体層を提供する工程;b)電気化学的セルを提供する工程であって、このゲート電極が、この電気化学的セルの1つの電極である、工程;c)このゲート電極に電圧を印加して電気化学反応を起こし、ゲート誘電を、このゲート電極とこの有機半導体層との間に形成する工程。
Claim (excerpt)：
電子デバイス中の有機層を保護する方法であって、 (a)有機層(810;910)を提供する工程を包含し、該方法は、 (b)該有機層(810;910)に隣接するバリア層(890;990)を提供する工程であって、該バリア層は溶媒に対して耐性である、工程、および (c)該溶媒と該有機層(810;910)に隣接する層形成材料(820;902)とを含む溶液または分散物を提供する工程を特徴とする、方法。
IPC (5)：
H01L 51/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/786
FI (7)：
H01L 21/312 A ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 J
F-Term (47)：
4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD32 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF16 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F058AB10 ,  5F058AD01 ,  5F058AF10 ,  5F058AH01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE08 ,  5F110EE41 ,  5F110FF02 ,  5F110FF21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK31 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN32 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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