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J-GLOBAL ID：200903005552149375

誘電体磁器と積層セラミック電子部品

Inventor： 水野 洋一 ,  高橋 義直 ,  矢澤 健二
Applicant, Patent owner： 太陽誘電株式会社
Agent (1)： 北條 和由
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000026953
Publication number (International publication number)：2001220224
Application date： Feb. 04, 2000
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 誘電率が高く、なお且つ絶縁抵抗の高い誘電体磁器を得て、特性及び信頼性共に良好な積層セラミックコンデンサを得る。【解決手段】 誘電体磁器は、BaTiO3 を主体とし、誘電体磁器粒子1が強誘電体相のコア2と、このコア2を囲んで形成され、BaTiO3 にMgと希土類元素が拡散したシェル3とを有する。要するに、誘電体磁器粒子がコア・シェル粒子構造をとっている。このような誘電体磁器において、前記シェル3の誘電体磁器粒子1の表面からの深さdと誘電体磁器粒子1の平均径Dとの比d/Dを、0.03≦d/D≦0.3とする。

Claim (excerpt)：

BaTiO3 を主体とし、誘電体磁器粒子(1)が強誘電体相のコア(2)と、このコア(2)を囲んで形成され、BaTiO3 に添加物が拡散したシェル(3)とを有する誘電体磁器において、前記シェル(3)の誘電体磁器粒子(1)の表面からの平均深さdと誘電体磁器粒子(1)の平均径Dとの比d/Dが0.03≦d/D≦0.3であることを特徴とする誘電体磁器。

IPC (3)：

C04B 35/46 ,  H01G 4/12 358 ,  H01B 3/12 303

FI (3)：

C04B 35/46 D ,  H01G 4/12 358 ,  H01B 3/12 303

F-Term (18)：

4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031BA09 ,  4G031BA12 ,  4G031CA03 ,  4G031CA05 ,  5E001AB03 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE05 ,  5E001AF06 ,  5G303AA01 ,  5G303AB05 ,  5G303AB11 ,  5G303CB03 ,  5G303CB35 ,  5G303CC08 ,  5G303DA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 誘電体磁器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132851   Applicant：太陽誘電株式会社
• 誘電体セラミック原料粉末の製造方法および誘電体セラミック組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-117250   Applicant：株式会社村田製作所
• 積層型セラミックチップコンデンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-154355   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 積層型セラミックチップコンデンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-085705   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 積層型セラミツクチツプコンデンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-200031   Applicant：テイーデイーケイ株式会社
• 磁器コンデンサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-076951   Applicant：太陽誘電株式会社