多層配線を有する半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207031
Publication number (International publication number)：1996078520
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】下層配線として高融点金属を使用し、上層配線形成後の熱処理においても上層配線と下層配線との接触抵抗の増大を抑制することができる多層配線形成技術を提供する。【構成】絶縁表面2上に形成され、高融点金属T,Wを主成分として含む第1の配線3,4,5と、前記第1の配線を覆うように形成され、所定の領域にコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜6と、前記第1の配線の上面のうち前記コンタクトホールが設けられた領域で前記第1の配線に電気的に接続するように形成され、Alを主成分として含む第2の配線9と、前記第1の配線と前記第2の配線とが電気的に接続される界面に配置され、前記第1の配線の主成分である高融点金属及びAlの双方と異なり、かつ双方と実質的に反応しない材料からなるバリア層7とを有する。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に形成され、高融点金属を主成分として含む第1の配線と、前記第1の配線を覆うように形成され、所定の領域にコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜と、前記第1の配線の上面のうち前記コンタクトホールが設けられた領域で前記第1の配線に電気的に接続するように形成され、Alを主成分として含む第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線とが電気的に接続される界面に配置され、前記第1の配線の主成分である高融点金属及びAlの双方と異なり、かつ双方と実質的に反応しない材料からなるバリア層とを有する半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 B , H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

半導体装置の配線層接続構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-184955 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-259242
配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-260464 Applicant：ソニー株式会社

Show all

Return to Previous Page