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J-GLOBAL ID：200903005698208551

太陽電池素子及びこれを用いた太陽電池モジュール

Inventor： 藤井 修一 ,  猪股 洋介 ,  坂元 智成 ,  新楽 浩一郎 ,  府川 祐子 ,  福井 健次
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004172852
Publication number (International publication number)：2005353836
Application date： Jun. 10, 2004
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：

【課題】表側電極による光学的なロスを減少させるとともに、短絡電流密度と曲線因子とを適正なバランスを保って向上させ、良好な変換効率を得ることができる太陽電池素子を提供する。 【解決手段】多結晶シリコンの半導体基板の受光面側に表側電極を有する太陽電池素子であって、前記表側電極を受光面側の鉛直方向から平面視したときの面積をSa(cm2)、前記太陽電池素子の受光面のうち、前記表側電極が設けられた領域の表面積をSb(cm2)としたときに、1.10≦Sb/Sa≦2.10の関係を満たすようにした。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

多結晶シリコンの半導体基板の受光面側に表側電極を有する太陽電池素子であって、 前記表側電極を受光面側の鉛直方向から平面視したときの面積をSa(cm2)、前記太陽電池素子の受光面のうち、前記表側電極が設けられた領域の表面積をSb(cm2)としたときに、 1.10≦Sb/Sa≦2.10 の関係を満たす太陽電池素子。

IPC (1)：

H01L31/04

FI (1)：

H01L31/04 H

F-Term (17)：

5F051AA03 ,  5F051CB05 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051EA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051FA25 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051HA03 ,  5F051JA02 ,  5F051JA04 ,  5F051KA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 太陽電池素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-071961   Applicant：京セラ株式会社
• 半導体基板の粗面化法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-117579   Applicant：京セラ株式会社

Cited by examiner (1)

• 太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-143387   Applicant：京セラ株式会社