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J-GLOBAL ID：200903005785836046

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 林 伸彦
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995243437
Publication number (International publication number)：1997092927
Application date： Sep. 21, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 作製が容易で信頼性が高く、かつ高出力化が可能な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 n-GaAsウエハ上に複数の半導体レーザ装置101を形成し、n-GaAsウエハをへき開することによりレーザバーを形成した後、前端面AにSiOX 膜11およびSiN膜12からなる反射膜10を形成する。前端面Aをランプアニールまたはレーザアニールすることにより、SiOX 膜11中のSiを前端面Aの近傍に拡散させてSi拡散領域16を形成する。

Claim (excerpt)：

活性層を含む少なくとも一方の共振器端面上に構成元素として不純物元素を含む反射膜が形成され、前記反射膜下の前記少なくとも一方の端面に前記反射膜中の前記不純物元素が拡散されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/22

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/22 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-000640   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-046231   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-265881   Applicant：松下電器産業株式会社