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J-GLOBAL ID:200903005843048177

カーボンナノチューブ成膜装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 東田 潔 ,  山下 雅昭 ,  打揚 洋次
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002207906
Publication number (International publication number):2004052012
Application date: Jul. 17, 2002
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
【課題】チャージアップを緩和し、ステージに流れ込むイオンの電流値を増加せしめて、良質なカーボンナノチューブを形成するためのカーボンナノチューブ成膜装置の提供。【解決手段】成膜室内に被処理基板が搭載される電気的に接地電位から絶縁された基板ステージを設け、このステージに、直流でマイナス電圧を印加し、そして定期的にプラスの電圧をこのマイナス電圧に重畳して印加することことができるインバータ電源等の逆バイアス機構を設ける。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
成膜室と、この成膜室の上部に設けられた上部フランジと、この成膜室と対向して設けられた矩形導波管から同軸変換されたキャビティを用いたマイクロ波系統と、このマイクロ波系統から発生するマイクロ波を成膜室内に導入しかつ大気と真空とを隔離するための誘電体からなる窓と、成膜室内に設けられた被処理基板が搭載される電気的に接地電位から絶縁された基板ステージとを有するカーボンナノチューブ成膜装置において、この基板ステージに、直流でマイナス電圧を印加し、そして定期的にプラスの電圧をこのマイナス電圧に重畳して印加することことができる逆バイアス機構を設けてなることを特徴とするカーボンナノチューブ成膜装置。
IPC (4):
C23C16/26 ,  B82B3/00 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46
FI (4):
C23C16/26 ,  B82B3/00 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 B
F-Term (8):
4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030BA27 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  4K030KA20 ,  4K030LA11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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