大口径カーボンナノチューブ薄膜形成プラズマCVD装置及び該薄膜の形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000000300
Publication number (International publication number)：2001192830
Application date： Jan. 05, 2000
Publication date： Jul. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】手間がかからず、カーボンナノチューブの生産能力が高く、電力の消費量が低く、製造コストの安い、大口径のカーボンナノチューブ薄膜形成CVD装置及び該薄膜形成方法の提供。【解決手段】マイクロ波によるプラズマを利用した気相反応によるカーボンナノチューブ薄膜形成CVD装置において、マイクロ波発生システムが複数個並列に配置されて、各システムのキャビティ部が成膜室上蓋の直上に配備されるようにされ、マイクロ波発生システムのキャビティ部の下面には複数個のスリットが設けられ、マイクロ波がこれらスリットを通って、キャビティ部の直下にある石英製上蓋を介して成膜室内に導入されるように構成されている。この装置を用いてカーボンナノチューブ薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

成膜室と、該成膜室の上部に設けられた石英製上蓋と、該成膜室内に設置された基板ホルダーと、該成膜室内に炭素含有ガス及び水素ガスを供給するためのガス供給系と、該基板ホルダーに接続されたバイアス電源と、該成膜室内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生システムとを有し、該マイクロ波発生システムが複数個並列に配置されており、該マイクロ波発生システムのそれぞれのキャビティ部が該石英製上蓋の直上にあり、該キャビティ部の下面には複数個のスリットが設けられ、マイクロ波がこれらスリットを通って、キャビティ部の直下にある石英製上蓋を介して該成膜室内に導入されるように構成されていることを特徴とする大口径カーボンナノチューブ薄膜形成プラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/26 , C01B 31/02 101 , C23C 16/511

FI (3)：

C23C 16/26 , C01B 31/02 101 F , C23C 16/511

F-Term (13)：

4G046CA02 , 4G046CB03 , 4G046CB08 , 4G046CC06 , 4K030BA27 , 4K030CA02 , 4K030CA12 , 4K030FA02 , 4K030GA04 , 4K030GA05 , 4K030JA18 , 4K030KA26 , 4K030LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

カーボンナノチューブの製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-161292 Applicant：キヤノン株式会社
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-361044 Applicant：キヤノン株式会社
薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-130689 Applicant：株式会社ダイヘン

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