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J-GLOBAL ID：200903005978771111

MEMS装置およびMEMS装置製造方法

Inventor： 鈴木 和拓 ,  西垣 亨彦 ,  小野塚 豊 ,  山田 浩 ,  板谷 和彦 ,  舟木 英之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007215141
Publication number (International publication number)：2009045712
Application date： Aug. 21, 2007
Publication date： Mar. 05, 2009
Summary：

【課題】MEMS装置の製造時において、高温、高電圧をかけずに、少ないダメージで、かつ、低コストで高気密性を実現することのできるMEMS装置を提供すること。【解決手段】MEMS装置1において、SOI基板8に形成されたMEMS部10と、MEMS部10を封止するための蓋部6とを備え、蓋部6には孔部16が設けられ、孔部16は、球体または半球体の形状をした封止材17で封止されていること、を特徴とするMEMS装置。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成されたMEMS部と、 孔部が設けられ、前記MEMS部を封止するための蓋部とを備え、 前記孔部は、球体または半球体の形状をした封止材で封止されていること、 を特徴とするMEMS装置。

IPC (3)：

B81C 3/00 ,  B81B 3/00 ,  H01L 23/02

FI (3)：

B81C3/00 ,  B81B3/00 ,  H01L23/02 J

F-Term (6)：

3C081AA17 ,  3C081BA30 ,  3C081BA33 ,  3C081CA05 ,  3C081DA04 ,  3C081DA22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体慣性センサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-319606   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 陽極接合構造体及びその製造方法並びにこれを利用した光スキャナーの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-051619   Applicant：三星電子株式会社