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J-GLOBAL ID：200903006017678187

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 安武 信昭
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005153948
Publication number (International publication number)：2006332337
Application date： May. 26, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：

【課題】高速動作を実現する半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の第1の導電型領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面に形成された第1の側壁と、前記第1の側壁の側面に形成された第2の側壁と、前記第2の側壁の下方に形成され、第2の導電型の第1の不純物層を含み、ゲルマニウムを含む半導体層と、前記第2の側壁の外側の領域に形成され、前記第1の不純物層より多量の第2の導電型不純物を含む第2の不純物層と、前記第2の不純物層上に形成されたシリサイド層とを具備する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の第1の導電型領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の側面に形成された第1の側壁と、 前記第1の側壁の側面に形成された第2の側壁と、 前記第2の側壁の下方に形成され、第2の導電型の第1の不純物層を含み、ゲルマニウムを含む半導体層と、 前記第2の側壁の外側の領域に形成され、前記第1の不純物層より多量の第2の導電型不純物を含む第2の不純物層と、 前記第2の不純物層上に形成されたシリサイド層と を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092

FI (7)：

H01L29/78 301S ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 301L ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321F

F-Term (80)：

4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104DD02 ,  4M104DD50 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA18 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA01 ,  5F140AA13 ,  5F140AA21 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG30 ,  5F140BG31 ,  5F140BG34 ,  5F140BG39 ,  5F140BG45 ,  5F140BG50 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH06 ,  5F140BH07 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-000062   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-276999   Applicant：松下電器産業株式会社
• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-000062   Applicant：日本電気株式会社