Pat
J-GLOBAL ID:200903006076660372
有機EL素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石井 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998241076
Publication number (International publication number):2000091079
Application date: Aug. 12, 1998
Publication date: Mar. 31, 2000
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 耐熱性、耐候性が高く、リークやダークスポットの発生が少なく、低コスト化が可能で発光効率も高く輝度の高い有機EL素子の提供。【解決手段】 本素子はホール注入電極と電子注入電極と、両電極間に配設の1種以上の有機層とを有し、ホール注入電極と有機層間に無機絶縁性ホール注入層を有し、該注入層はsi及び/またはGeの酸化物及び窒化物を主成分とし、これを(Si1-xGex)OyNzと表したとき、0≦x≦1、0.2≦y≦1.9、0.1≦z≦1.1である。または電子注入電極と有機層の間に無機絶縁性電子注入層を有し、該注入層はSi及び/またはGeの酸化物及び窒化物を主成分とし、これを(Si1-xGex)OyNzと表したとき、0≦x≦1、0.2≦y≦1.9、0.1≦z≦1.1であり、前記無機絶縁性電子注入層は、さらに、Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La及びGeの何れか1種以上を含有する。
Claim (excerpt):
ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた1種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極と前記有機層との間に無機絶縁性ホール注入層を有し、前記無機絶縁性ホール注入層は、シリコンおよび/またはゲルマニウムの酸化物および窒化物を主成分とし、この主成分を(Si1-xGex)OyNzと表したとき0≦x≦10.2≦y≦1.9、0.1≦z≦1.1である有機EL素子。
IPC (2):
FI (3):
H05B 33/22 C
, H05B 33/22 A
, H05B 33/14 A
F-Term (23):
3K007AB00
, 3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB06
, 3K007AB14
, 3K007AB15
, 3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BB01
, 3K007BB04
, 3K007BB06
, 3K007CA01
, 3K007CA02
, 3K007CA04
, 3K007CA05
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EA04
, 3K007EB00
, 3K007EC00
, 3K007FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-107973
Applicant:三洋電機株式会社
-
有機エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-310452
Applicant:パイオニア株式会社
Return to Previous Page