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J-GLOBAL ID:200903006118253438
半導体発光ダイオード
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
矢口 平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999329755
Publication number (International publication number):2001148511
Application date: Nov. 19, 1999
Publication date: May. 29, 2001
Summary:
【要約】【課題】台座電極と窓層を有する半導体LEDにおいて、素子駆動電流を開放発光領域に優先的に且つ均一に拡散させ、高輝度な半導体LEDを提供する。【解決手段】発光部と窓層との間に、開放発光領域に搾孔部を有する網状に加工された導電性電極を敷設する。
Claim (excerpt):
発光層、窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、素子平面における台座電極の射影領域以外に網目状の導電性電極を有することを特徴とする半導体発光ダイオード。
F-Term (11):
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA03
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA40
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-057235
Applicant:シャープ株式会社
-
化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-328558
Applicant:株式会社東芝
-
半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-135220
Applicant:旭化成工業株式会社
-
発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-128077
Applicant:晶元光電股ふん有限公司
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