半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997057235
Publication number (International publication number)：1998256602
Application date： Mar. 12, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】光取り出し電極を有する半導体発光素子の発光パターンの均一化を実現し、発光効率を向上し、駆動電圧を低減する。【解決手段】光取り出し電極を、シート抵抗が部分的に異なるように構成する。低抵抗部と、光透過性の高抵抗部とを、光取り出し電極内部に適切に配置することにより、光取り出しの機能を損なう事なく、電極から半導体側へ供給される電流の分布を抑制することができ、よって、光出力に寄与しない領域が無くなり、発光効率が向上し、さらに、駆動電圧が低減した半導体発光素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、該第2導電型半導体層に接合する第2電極、該第2電極に接合するボンディングパッドが順次設けられている半導体発光素子であり、該素子内部に発した光が、該第2電極を通して外部に取り出されるような半導体発光素子において、該第2電極のシート抵抗が、部分的に異なっていることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

窒化ガリウム系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-181595 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-181779 Applicant：ソニー株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-064066 Applicant：三洋電機株式会社

Show all

Return to Previous Page