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J-GLOBAL ID:200903006127764054
半導体装置の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
薄田 利幸
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995120236
Publication number (International publication number):1996316194
Application date: May. 18, 1995
Publication date: Nov. 29, 1996
Summary:
【要約】【目的】薄いチップを安定かつ低コストで作成し、ハンドリングが容易な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】テープ107に貼り付けられたウエハ105を、ウエハ105の面内で高速で回転または横方向に往復運動させ、ウエハ105の表面に対してエッチ液高速に横方向に移動させ、ウエハ105を均一にエッチングして薄くし、この薄いウエハをダイシングして得られた薄いチップ105 ́を加熱ヘッド106によって加熱圧接して、基板102上に固着する。【効果】薄いチップを安定かつ低コストで形成し、チップの割れを生ずることなしに基板に固着できる。
Claim (excerpt):
第1の基板上に保持された半導体ウエハの主面とエッチ液を接触させ、上記半導体ウエハの主面に沿って、上記エッチ液を高速度で動かすことによって、上記半導体ウエハの厚さを小さくする工程と、当該厚さを小さくされたウエハをカットして複数のチップに分離する工程と、当該チップを上記第1の基板から分離して第2の基板へ固着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 21/306
, H01L 21/301
FI (3):
H01L 21/306 C
, H01L 21/78 M
, H01L 21/78 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体ウェハを薄くする方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-343287
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-001486
Applicant:山形日本電気株式会社
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特開平4-119645
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