光半導体装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996325370
Publication number (International publication number)：1998173277
Application date： Dec. 05, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【目的】スポットサイズ変換(SSC)機能を有する領域においても光学利得が得られるようにして、低閾値電流で高温特性の劣化のないLDを提供する。【構成】 InP基板101上に、ストライプ状の開口を有しマスク幅が導波方向で変化する一対のマスク(図示なし)を形成し、SCH層(光閉じ込め層)103、MQW層104、SCH層105を、103、105は高圧の成長圧力で、104の少なくとも井戸層は低圧の成長圧力でMOVPE選択成長する。これにより、103、105はマスク幅の広い部分では厚く狭い部分では薄く形成されるが、104の井戸層は全領域において一定の膜厚、一定のバンドギャップに形成される。p-InP層107、n-InP層108、p-InP層109を選択成長し、更にクラッド層110、キャップ層111を形成する。

Claim (excerpt)：

量子井戸構造と光閉じ込め層をコア層とする光導波路構造を有し、導波方向に向かってコア層の膜厚が変化することによりスポットサイズ変換機能が付与された導波路型光半導体装置において、前記量子井戸のバンドギャップエネルギーは導波方向の全領域に渡って±30meVの範囲内で一定であることを特徴とする光半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体光増幅器およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-282240 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-085804
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-136933 Applicant：富士通株式会社

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