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J-GLOBAL ID：200903006149080167

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

Inventor：
久保 博稔

About 久保 博稔


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000091051
Publication number (International publication number)：2001284588
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】トレンチ型のパワーMOSFETではトレンチ深さに応じた厚いチャネル層を形成する必要があり、チャネル層の表面から深さ方向にかけて、不純物濃度勾配を生じていた。また、ダミー酸化やゲート酸化膜形成時の熱酸化も、不純物濃度を低下させるので、チャネル層の不純物濃度のばらつきを大きくする要因となっていた。チャネル層の不純物濃度が不均一になるとスレッショルド電圧が不均一になる問題があった。【解決手段】トレンチ7およびゲート酸化膜10形成後にトレンチ7側面に斜めにイオンBtを注入して、トレンチ7側面に沿ってチャネル層11を形成することにより、トレンチ7側面に沿ったチャネル層11の不純物濃度のばらつきをおさえるものであり、これにより均一なスレッショルド電圧を得られる利点を有する。
Claim (excerpt)：
ドレイン領域となる一導電型の半導体基板と、前記半導体基板に設けたトレンチと、該トレンチの表面に設けたゲート絶縁膜と、前記トレンチ側面に沿って設けた逆導電型のチャネル層と、前記トレンチに埋め込まれた半導体材料からなるゲート電極と、前記トレンチに隣接して設けた一導電型のソース領域とを具備することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336
FI (2)：
H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 A
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (21)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-225054   Applicant：株式会社東芝
  • 特開平1-192174
  • 特開平1-192174
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