半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997132394
Publication number (International publication number)：1998321628
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】凹凸がある層間絶縁膜の表面を平坦化する。【解決手段】下方に狭幅配線14と広幅配線15が形成されている第2の絶縁層16上にレジスト17を塗布した後、フォトリソグラフィ技術により広幅配線上のレジストを選択的に除去し、1本の広幅配線領域に対し1本の溝パターンを形成する。次いで、RIE法を用いて広幅配線上のSiO2 膜16をエッチングする(図2(e))。エッチング終了後、O2 プラズマ処理等を用いてレジスト17を除去する(図2(f))。次いで、SiO2 膜16表面に対してCMPを行い、SiO2 膜16の平坦化を図る(図2(g))。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の第1の絶縁層上に金属配線を形成する工程と、前記第1の絶縁層及び金属配線上に第2の絶縁層を成膜する工程と、前記第2の絶縁層の高い領域に凹部を形成する工程と、前記第2の絶縁層を平坦化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 321

FI (2)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 321 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-116753
プラズマCVD方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-208249 Applicant：ソニー株式会社
集積回路デバイス用ウェファーの全表面を大域的平面化または平面化する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-335342 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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