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J-GLOBAL ID：200903064087327705

プラズマCVD方法

Inventor：
門村 新吾

About 門村 新吾


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995208249
Publication number (International publication number)：1997055376
Application date： Aug. 15, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ギャップフィル能力が高くグローバル平坦化に適した絶縁膜を形成しうるプラズマCVD方法を提供する。【解決手段】 高密度パルスプラズマ発生源を採用し、低周波の基板バイアスを印加しつつ.絶縁膜35のプラズマCVDを施す。【効果】 被処理基板上には正イオンと負イオンが交互に入射し、堆積とエッチングを交互に繰り返しながら成膜するので、ステップカバレッジと成膜レートに優れた絶縁膜35が形成できる。
Claim (excerpt)：
プラズマ発生室と、被処理基板を載置した基板ステージを収容するとともに前記プラズマ発生室に連接されたプラズマ処理室を有するプラズマCVD装置により、前記被処理基板上に絶縁膜を形成するプラズマCVD方法であって、前記プラズマ発生室に1×1011/cm3 以上1×1014/cm3 未満の高密度プラズマをパルス状に発生させ、かつ基板ステージに低周波数の基板バイアスを印加しつつ、前記被処理基板上に絶縁膜を形成することを特徴とする、プラズマCVD方法。
IPC (4)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 絶縁膜の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-272095   Applicant：富士電機株式会社
  • 特開平1-216523
  • プラズマCVD装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-120396   Applicant：松下電器産業株式会社
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