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J-GLOBAL ID：200903006239963327

ナノクリスタルグラファイト及びその製造方法

Inventor： 大花 継頼 ,  中村 挙子 ,  古賀 義紀 ,  田中 章浩 ,  飯島 澄男 ,  津川 和夫
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 池浦 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002217215
Publication number (International publication number)：2004059348
Application date： Jul. 25, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】新規な構造を有するナノクリスタルグラファイトを提供する。【解決手段】ラマンスペクトルにおいて、(i)波数1340〜1350cm-1の範囲、(ii)波数1425〜1435cm-1の範囲、(iii)波数1520〜1525cm-1の範囲、(iv)波数1565〜1580cm-1の範囲及び(v)波数1600〜1620cm-1の範囲にピークを有することを特徴とするナノクリスタルグラファイト。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

ラマンスペクトルにおいて、(i)波数1340〜1350cm-1の範囲、(ii)波数1425〜1435cm-1の範囲、(iii)波数1520〜1525cm-1の範囲、(iv)波数1565〜1580cm-1の範囲及び(v)波数1600〜1620cm-1の範囲にピークを有することを特徴とするナノクリスタルグラファイト。

IPC (1)：

C01B31/02

FI (1)：

C01B31/02 101F

F-Term (7)：

4G146AA07 ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146BA02 ,  4G146BC08 ,  4G146BC16 ,  4G146BC27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特許第3074170号
  
• 硬質炭素膜被覆部材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-029491   Applicant：セイコー電子工業株式会社
• カーボンナノクラスタ膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-289289   Applicant：エヌ・ティ・ティ・アフティ株式会社, 日本電信電話株式会社
• 特許第3074170号