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J-GLOBAL ID：200903006252778369
固体磁気メモリ
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000200261
Publication number (International publication number)：2002026281
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：
【要約】【課題】 大容量化が可能で、高信頼性で歩留まりが高い固体磁気メモリを提供する。【解決手段】 Si単結晶基板(11)表面に形成されたダイオード(12,13)と、ダイオードと電気的に接続された強磁性トンネル接合素子(20)と、強磁性トンネル接合素子を両脇から挟むように配置された、ダイオードと電気的に接続された第1ワードライン(18)およびダイオードと電気的に絶縁された第2ワードライン(19)と、強磁性トンネル接合素子に電気的に接続されたビットライン(22)とを有する。
Claim (excerpt)：
単結晶基板表面に形成されたダイオードと、前記ダイオードと電気的に接続された、トンネルバリア層を挟んで積層された2つの強磁性層を含む強磁性トンネル接合素子と、前記強磁性トンネル接合素子を両脇から挟むように配置された、前記ダイオードと電気的に接続された書き込み用の第1の配線および前記ダイオードと電気的に絶縁された書き込み用の第2の配線と、前記強磁性トンネル接合素子に電気的に接続された第3の配線とを具備したことを特徴とする固体磁気メモリ。
IPC (4)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083MA06
, 5F083MA15
, 5F083NA03
, 5F083NA10
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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