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J-GLOBAL ID：200903096275028951
磁性薄膜メモリ素子およびその製造方法ならびに記録再生方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997155224
Publication number (International publication number)：1999003584
Application date： Jun. 12, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高集積化が可能であり、情報の高い保存安定性を有し、安定して記録再生可能な磁性薄膜メモリ素子を提供する。【解決手段】 基板上に、主に膜面内の一方向に磁化配向しており低い保磁力を有する第1磁性層と、主に膜面内の一方向に磁化配向しており高い保磁力を有する第2磁性層が非磁性層を介して積層され、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化が平行の時は低い抵抗値を示し、反平行の時は高い抵抗値を示す磁気抵抗素子であって、外部磁界が0の時に、第1磁性層が非磁性層の端面に接するように湾曲して第2磁性層の端面と接する、あるいは第2磁性層が非磁性層の端面に接するように湾曲して第1磁性層の端面と接することにより閉磁路構成をなす磁性薄膜メモリ素子。
Claim (excerpt)：
基板上に、主に膜面内の一方向に磁化配向しており低い保磁力を有する第1磁性層と、主に膜面内の一方向に磁化配向しており高い保磁力を有する第2磁性層が非磁性層を介して積層され、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化が平行の時は低い抵抗値を示し、反平行の時は高い抵抗値を示す磁気抵抗素子であって、外部磁界が0の時に、第1磁性層が非磁性層の端面に接するように湾曲して第2磁性層の端面と接する、あるいは第2磁性層が非磁性層の端面に接するように湾曲して第1磁性層の端面と接することにより閉磁路構成をなすことを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
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薄膜磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-300681
Applicant：株式会社東芝
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磁性薄膜メモリおよびその記録方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-234539
Applicant：三菱電機株式会社
Article cited by the Patent：
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