トレンチ・ゲート半導体装置の製造

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：津軽進 , 宮崎昭彦 , 青木宏義
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002560187
Publication number (International publication number)：2004518292
Application date： Jan. 10, 2002
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

ソース領域(13)がトレンチ・ゲート構造(20、17、11)に自己整列されるような垂直電力トランジスタ・トレンチ・ゲート半導体装置の製造方法が下記のステップを含む。半導体基体(10)の表面(10a)上にマスク(61)を形成する。該マスク(61)を用いて、トレンチ・ゲート構造(20、17、11)を形成する。次いで、マスク(61)を用いて、絶縁材料のU字状断面層(62A、62B)を形成し、該層の底部(62B)はゲート材料(11)上のゲート絶縁層となる。次いで、マスク(61)を除去し、上記U字状断面層の直立部(62A)により設けられる良好に規定された段部にスペーサ(64)を形成する。次いで、該スペーサ(64)を用いてソース領域(13)を形成する。

Claim (excerpt)：

複数のトランジスタセルを有する垂直電力トランジスタ・トレンチ・ゲート半導体装置を製造する方法であって、各トランジスタセルが、内部にゲート材料を備えて半導体基体中に延びるトレンチと前記トレンチ及び前記ゲート材料の間のゲート絶縁層とを有するトレンチ・ゲート構造により囲まれ、各トランジスタセルが前記トレンチ・ゲート構造の上部に隣接すると共に該トレンチ・ゲート構造に隣接するチャンネル収容基体領域によりドレイン領域から分離されているような環状ソース領域を有し、該方法が前記ソース領域を前記トレンチ・ゲート構造に自己整列されるように形成するステップを含むような方法において、前記方法が、 (a)前記半導体基体上に第1窓を備える第1材料の第1マスクを形成するステップであって、前記各第1窓が前記トレンチの位置の中点経路と一致する中点経路を有するようなステップと、 (b)前記各第1窓内に絶縁性第2材料のU字状断面層を設けるステップであって、該第2材料の層は前記トレンチ・ゲート構造が形成された後に設けられ、該第2材料の各層が、前記第1窓の側壁上に直立部を有すると共に前記トレンチ・ゲート構造における前記ゲート材料上にゲート絶縁上側層を設ける底部を有するようなステップと、 (c)前記第1マスクを除去し、次いでスペーサを形成するステップであって、前記各スペーサが前記第2材料の層における前記直立部の表面の位置と整列された垂直面を有し、前記各スペーサが水平底面を有するようなステップと、 (d)前記スペーサを用いて前記環状ソース領域を形成するステップであって、前記ソース領域の前記トレンチ・ゲート構造からの横方向の広がりが前記スペーサにおける前記底面の横方向の広がりにより決定されるようなステップと、 (e)前記ソース領域及び該ソース領域に隣接する前記基体領域に接触するようにソース電極を設けるステップと、を有することを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (6)：

H01L29/78 653C , H01L29/78 652S , H01L29/78 655G , H01L29/78 658F , H01L29/78 658G , H01L29/78 658B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

電力用半導体装置の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-559588 Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
特開平4-297038
特開平3-109775

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Cited by examiner (5)

電力用半導体装置の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-559588 Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
特開平4-297038
特開平3-109775

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